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规格书 |
NTD4960N |
文档 |
Multiple Devices 30/Sept/2011 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 22nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1300pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.07W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
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